IGZO是氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide)的縮寫, 以目前的技術來說, IGZO的最主要功能是取代原半導體層Amorphous (非晶矽), 因為同樣是非晶的IGZO的電子移動率(mobility)比較高, 可讓MOS開關元件的體積縮小, 進而提高像素開關的電流，增加穿透率或是縮小像素面積(提高解析度). 這技術最大缺點是對於水氣, 氧氣, 侵入性抵抗力比較差, 所以都會搭配SiOx或是SiNx絕緣層來保護。