晶圓製造的異常事故(IV) - 人生紀錄本

Contents ...

udn網路城邦

晶圓製造的異常事故(IV)

2018/12/04 17:09

迴響0

推薦0

引用0

產品批號: 1 lots

影響片數刻號: 1 pcs

失效電性或超出線上規格: 晶面peeling

相關生產站點機台:MET1_PtSi2@RTP-1

異常原因: pyro fail控溫異常

矯正動作:更換pyro後,校溫OK, release. 參考文獻:Platinum silicide formation using rapid thermal processing

產品批號: Q57277(特殊型號產品) lots

影響片數刻號: pcs

失效電性或超出線上規格: BJT low yield due to NPNBeta window issue

相關生產站點機台:EMT_DRV@

異常原因: Corner check exp:比對Emit Split , +5C and -5C CPY皆有loss, 比對BOP/BRP ,+5C 資料集中偏右 ,-5C 資料集中偏左 ,但BOP/BRP差距無明顯變化

矯正動作: 單機run貨(EMIT DEP限boat2~4 , EMIT DRV限單機),減少機差及跳動性影響

產品批號: 1 lots

影響片數刻號: 1 pcs

失效電性或超出線上規格: WAT fail

相關生產站點機台:PCODE IMP@IM-6

異常原因: 狀況說明 :EXT unstable 植入暫停, Continue 後的異常. Check log 發現, 06:58 #2 - #25 植入完成, 07:04 因前述 Alarm , Continue 後又植入一次 ( #1 ), 懷疑是#23 Double Implant.

矯正動作:1. software upgrade 可解決, 但會有其它 side effect (S/W dismatch with H/W).

產品批號: 1 lots

影響片數刻號: 1 pcs

失效電性或超出線上規格: PW 阻值 & NMOS 電性異常

相關生產站點機台:PW IMP@IM-10

異常原因: suspect PW-IMP IM-10: IM-10 log 顯示只打23 pcs, slot17 未打到, 與 #16 WAT 異常吻合.此事件懷疑為TA未確認完整造成, 因為卡關1(map後,紅色wafer片數確認),及卡關2,all run 完,每片wafer為綠色

產品批號: 32 risk lots

影響片數刻號: pcs

失效電性或超出線上規格: Rs_PW low to cause high VtNMOS

相關生產站點機台:PW1 IMP@IM-6

異常原因: extraction current variation

矯正動作: Set up extraction current spec. to prevent B3875 critical layers OOS.

產品批號: lots

影響片數刻號: 6 pcs in TECN lots pcs

失效電性或超出線上規格: 單片Low yield

相關生產站點機台: MET1_PtSi2@RTP-3

異常原因: 舊承盤轉120度,slot1 run 42786A.1#01 CP fail map有隨之改變

矯正動作: SIC盤上Coating物分析, and clean, Set up 1st ver. of susceptor clean lifetime.

產品批號: 12 lots

影響片數刻號: 16 pcs

失效電性或超出線上規格: single wafer#24 low yield issue, Vth_JPB3, Rs_NW fail.

相關生產站點機台:NBURY OXD@FE-2

異常原因: Cross contamination by dummy wafers

矯正動作: dummy rule for contamination

1.DIFF function分類:不需變更(MOS and bipolar區分)

2.DIFF提供潔淨度最高爐管for first or EPI後oxide layer:

GOX(FA-1,2,4,FG-1) ,

BASE OX (FB-1,FC-1)

3.PIE review TECH for SK and Z*產品流程:

篩選出不合理layer in GOX and BASE OX管

例:Z08XX GOX and NBURY OX , 獨立oxide程式(已完成)

S* NPLUG-OX,獨立程式(已完成)→Q plan執行中

→PIE提供7/10→DIFF建立new recipe and ERC修正 due 7/16

4.依item3 : SK and Z*產品 :

短期->程式獨立,dummy專用 ; 長期->執行Q plan至合適爐管

4.1 進站command

4.2 檔片run card製作->OI

4.3 dummy盒分類標示

產品批號: 2 lots

影響片數刻號: ? pcs

失效電性或超出線上規格: CP Map顯示為wafer上緣Fail .主要Fail Bin為Bin9 為頻率問題

相關生產站點機台:POLY IMP@IM-7

異常原因: 比對Poly IMP corner 發現,Poly-SP_RW 偏高 ,較有low CPY風險, 其Fail map 與corner split(42054A#04)相似 ,比對#04 WAT map fail區域其Poly-SP_RW亦大於1750 ,因此推測為強相關

矯正動作: 微調inline dosage避免機差, POLY-IMP recipe植入方式變更 R4improve U%

產品批號: 13 lots

影響片數刻號: 1 pcs

失效電性或超出線上規格: POLY ETC particles

相關生產站點機台:POCL3 DOP@FH-4

異常原因: 保溫鍋power off temp. high

矯正動作: Fix power issue on保溫鍋(鍋底的沸石有吸熱降溫的作用), verify PCB/connector functionality issue on FH-4

產品批號: 1 lots

影響片數刻號: 2 pcs

失效電性或超出線上規格: Rs NW 異常

相關生產站點機台:NW IMP@IM-10

異常原因: 428389.1 #3 #6補RUN時發生二次ABORT,log與comment結果不符,導致 IMP 多打WAT Rs NW異常(PE 未check log, 實際 log #03 已打 50%, #06 已打 75%)

矯正動作: 確認為人員誤判log,造成rework miss,再次訓練R4 recipe check SOP

產品批號: 2 lots

影響片數刻號: 48 pcs

失效電性或超出線上規格: Rs_IR low OOS

相關生產站點機台:HIR IMP@IM-6

異常原因: 由MAP來看 ,RS_SP ok ,RS_IR fail (SP and HIR 一起DRV 過 FI-1 ,分開IMP 此2批皆過IM-6 8/27). 1. Rs 左上低右下高. 應與 TREK amplifier 有關. 2.Rs trend 與 log trend 比對只有 Z-Axis 吻合

矯正動作:1. Check Terminal 電壓,發現 208V 輸出unstable 207.5~208.1 V 跳動. 調整至208V 穩定. 2. 為降低 Arcing 對 Power Supply damage , 將加裝壓克力檔板

產品批號: 2 lots

影響片數刻號: 37 pcs

失效電性或超出線上規格: low yield, check 與WAT Rs_NW 偏低相關, BIN13

相關生產站點機台:NW2 IMP@IM-10

異常原因: Issue lot 同 run 424991.1 slot 19 有發生 roplate alarm. 與 issue lot Cp 兩個 group 似乎吻合, 424989.1 #1~18 low yield, check 與WAT Rs_NW 偏低相關, BIN13

矯正動作: 1. 確認Terminal 電壓輸出. 2. 懷疑與 Arcing 相關確認Lens 附近是否有壓克力檔板隔離.

產品批號: 4 lots

影響片數刻號: pcs

失效電性或超出線上規格: WAT Rs_Deep OOS

相關生產站點機台:PCODE IMP@IM-6

異常原因: 發現 filament-I變異造成 Scan數改變,影響Rs

矯正動作: 7/7 因調機issue更換 S/H 後 7/9 Filament-I 已正常. 增定 E500 Source Head 組裝 SOP 及 Check Method for BN screw

產品批號: 4 lots

影響片數刻號: all pcs

失效電性或超出線上規格: POLY-DOP Rs OOC high issue

相關生產站點機台:POLY-DOP@FB-4

異常原因: 前flange cooling water no flow

矯正動作: 針對進管前PE CHECK加入機台冷卻水的ALARM功能

產品批號: 6 lots

影響片數刻號: 120 pcs

失效電性或超出線上規格: NW1-OXD/FOX THK OOS high

相關生產站點機台:NW1-OXD/FOX@FB-3

異常原因:1. 厚度不佳，釐清為V16 VALVE快接漏氣。2. U%值不佳ISSUE，釐清為exhaust 壓力值偏下限。

矯正動作: 1.更換V16 VALVE後測機 and 調整paddle往上 and 調整火焰，厚度ok, U值一樣不佳。2.CHECK機台為EXHUAST 總壓力表壓力剛好在BASELINE偏下限，調整至中間位置，重測 U值OK。3. Checking lot: 442562.1 WAT data normal.

產品批號: M4~M12 lots

影響片數刻號: pcs

失效電性或超出線上規格: 1. C19LX PLOY 色差,2. C0MXX POLY圓邊紅斑, 3. K5B10 trench residue, 4. C59L2 POLY Rs higher

相關生產站點機台:POLY DEGLASS@FSI-2

異常原因:1.釐清造成斑點原因,H2SO4+H2O2 清洗造成。2.確認流量:H2SO4 set 600cc/actual 590cc H2O2 set 150cc/ actual 150cc 。3.更換flow pickup and manifold valve ,測機後無斑點。4. H2SO4 manifold valve 內部diaphragm Bellow 安裝時密合度不佳造成Leak。