產品批號: 6 lots
影響片數刻號: >78 pcs
失效電性或超出線上規格: low CPY, BIN4 fail.
相關生產站點機台:NPLUG OXD@same group furnace
異常原因: 區域性Trim fuse前Vout偏高, BIN4 fail(VOUT大都偏高到3V Clamp值)suspect dopant contamination @NPLUG OXD.
矯正動作: 1. isolate NPLUG OXD for S3S09/S4129from the other TECH. 2. dedicated dummy wafers @170.023.
類似的交叉污染與爐管防治輕重摻交叉污染:
產品批號: 1 lots
影響片數刻號: 6 pcs
失效電性或超出線上規格: CPY loss due to BIN9 fail at wafer edge
相關生產站點機台: EPI@
異常原因: slip line defects induce leakage current(BIN9 fail)
矯正動作: improve study by DoE at drive-in step(ISO1150) with different ramp-up rates. Low fail dies obtained by 4C/min : _ISORU4.
產品批號: 4 lots
影響片數刻號: 95 pcs
失效電性或超出線上規格: HR Drive-in oxide thickness low OOS
相關生產站點機台:HR DRV@FD-1
異常原因: Boat in 未完全, 發現RECIPE無寫SW07 ABORT之程式。導致 inline thk & U% OOS
矯正動作: 1. Double confirm Boat-in/out check in recipe of all horizontal tubes. 2. Follow SOP to double check all tubes by owner. 3. Recipe backup
產品批號: 6 lots
影響片數刻號: 144 pcs
失效電性或超出線上規格: PBURY DRV Rs OOC(average=160, spec.=170+-15), trace WAT of child lots: leading lot 421528.1 #1,2 and 421520.1 #7 ISO-MIN3 OOS
相關生產站點機台:PBURY DRV@FI-3
異常原因: torch crack
矯正動作: Evaluate crack-proof function on torch clamp.
產品批號: 1 lots
影響片數刻號: 17 pcs
失效電性或超出線上規格: low CPY
相關生產站點機台:NPLUG IMP@IM-9
異常原因: 機台在Pressure too high下，重複Auto resuming數次,法拉第重複動作可能有particle被帶入疑慮
矯正動作: 設備：Imp高壓異常，若發生在chamber pressure, 處理異常需在異常單註明particle concern. 製程：處理chamber pressure Imp異常單，建議以下流程(以S3S09為例)
1. PR case產品flow: 上PR蝕刻IMP(170.614)
建議：(1) 異常wafer分子批去PRSCB clean拉帳至170.614
(2) Futurehold at 170.378進站前，洽黃光確認偏移,盡量降低
(3) Futurehold at 170.614進站前，原IMP機台補run rework程式
2. PR case產品flow: 上PRIMP(230.614)
建議：(1) 異常wafer分子批去PRSCB clean拉帳230.316
(2) Futurehold at 230.614 進站前，原IMP機台補run rework程式
3.無PR case產品flow：無PR直接IMP(110.614)
建議：(1) 異常wafer分子批SCB原IMP機台補run rework程式
產品批號: 1 lots
影響片數刻號: 18 pcs
失效電性或超出線上規格: CT 多片偏低OOS(40) , MET1-WAT check SP偏低,懷疑BASE-IMP over dose.
相關生產站點機台:BASE IMP@IM-7
異常原因: 傳送異常,WAFER WALKOUT 當機3 次,今天破真空檢查發現IM-7 PICK ARM 上面有一個不明PAD,此PAD 非IM-7 所有經追查為UV-3機台所有
1. Check EQ 異常單 #04 ~ #09 未run . =>PE判斷整批未run .
2.量測 #04 ~ #09 check CT:120~125 normal.
矯正動作: 1. Set up correct double check procedure by TW. 2. Set up abnormal SOP for log missing issue.
產品批號: 1 lots
影響片數刻號: 1 pcs
失效電性或超出線上規格: WAT Rs_Pbody high
相關生產站點機台:PBODY IMP@IM-10
異常原因: 機台異常處理未check detail information,4個象限少run 1個
矯正動作: 建立關於MIMP異常 rotation recipe處理手法SOP
產品批號: 1 lots(potential risk 119 lots)
影響片數刻號: 24 pcs
失效電性或超出線上規格: CPY R4 fail
相關生產站點機台:NW2 IMP@IM-10
異常原因: 1. Check log 異常run真空異常finding seals 脫落(DP to roplate head). Head seal parts控片驗證1. Wafer condition:#10:head seal接上(normal status), #11:head seal拔除(abnormal status)2. Rs map顯示:head seal status明顯產生R4情形.
矯正動作: 1. 水平展開 Check All MI E500 endstation air tube 是否鬆脫. 2. 宣導連接swagelok的方法.
產品批號: 5 lots
影響片數刻號: 96 pcs
失效電性或超出線上規格: PISO-DRV THK OOC, boat1/2/4:51XX/49XX/48XX(target:4600)
相關生產站點機台:PISO-DRV@ FI-3
異常原因: ThermalCouple電阻Z1異常, 500~600時電阻異常但室溫正常,推測高溫才表現出老化或竹節現象;異常t/c出廠日期:2011.12.15,到案發時間已經2年4個月,已過保固期.
矯正動作: 1. SRP分析, 2. TC parts management: lifetime control
產品批號: 6 lots
影響片數刻號: 144 pcs
失效電性或超出線上規格: Particle defects
相關生產站點機台:ISD POLY@FJ-4
異常原因: Pump fail,tube out 端到pump in端有Leak現象
矯正動作: 1.降溫洗管保養,更換PUMP(維修品) 。2.清潔真空管路與後段排氣管路(PUMP OUT端到BURN BOX)。3. 例行保養時將Boat Cap O-Ring、Pump In端 O-Ring 更換新品，保養後在後段加掛氦氣測漏儀，確認無漏點才可進行Test run，加入pm表單點檢項目。
