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SPD參數是什麼?超頻是什麼?
2013/11/15 03:41
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BIOS主司電腦"韌體"的功能!除了控制CPU和南北橋外,也控制記憶體時脈,主宰記憶體的反應力!您更換記憶體時不曾自己設定過這些數值,是因為電腦已經直接判讀記憶體的『SPD』了!

SPD是Serial presence detect的縮寫,SPD內容包含了pulse(1333/1600MHz),工作電壓(1.5v/1.35v),模組資訊(製造商)...等內容,一共上百個工作數據,儲存在一顆EEPROM裡面!這項技術讓BIOS僅需透過EEPROM即可提供適當的操作參數~

若想知道頻率的定義,您也想知道記憶體的超頻是什麼,那麼本章必讀!

 

廠商會對參數玩什麼遊戲呢

把IC視為"道路"

資料當成"車流"

SPD這詞彙當成"速限"

體質差的晶片好比一條條窄路,若資料在裡面開快車,很危險!只好以更低的速限去規範,避免出包!反之,越好的晶片,路更寬,速限當然可以訂更高了~


SPD內容比高速公路上的速限牌要複雜...一點。必須先熟悉以下範例數值!

例如DDR3-1333 CL-9-9-9-24


DDR3-1333(PC-10600) ← 匯流排速度FSB

記憶體FSB跟CPU的Hz值一樣~也有它的最高乘載量!每分鐘100車次的路,一分鐘內硬塞給它200台車的後果當然就是動彈不得~


CL-9-9-9-24 ← 時脈(CAS  -  RAS  -  RCD  -  RP)

這四個參數,相當於記憶體位元完成工作的速度~其單位值是ns(奈秒),數值越小,表示時間越短!反應能力也越好~假如在小路裡面,人人都是開著JAQUAR的舒馬克...或許原本允許一分鐘100車次的小路,再多塞個100車也過得了關!   


1.5V ← 電壓值

電壓值一般不會去更動...會去提高電壓值,多半是超頻後,為拉高每個位元高低電位的差距,降低錯誤率的手段!但過高的電壓當然也會有位元穿隧(或燒壞掉)的風險~


當模組廠拿到一批比較不穩定的晶片,為降低瑕疵率,改一改EEPROM的這幾個值,把"速限"稍微調低點~以降低個1%損失,那也是不小的數字!我就直說了~每家模組廠都做這事,只是成品怎麼配貨罷了!!有良心的業者會把這種參數比較鬆,反應力比較低的記憶體於出售時標明~或是銷往二三線通路。


誰定義標準?答案是美國JEDEC電子工業協會~詳細歡迎自行GOOGLE。



學超頻前,先知道如何排除故障

 (內文建構中)

如何追求效能?

某些模組廠之所以生產超頻模組,敢讓你超,必定會先訂一個天價銷售之...這種記憶體可以在數值很漂亮的狀態下正常運作一段時間,但也壞的比較快!不過...對模組廠而言,天價所帶來的毛利,已足夠負擔維修成本了,對您來說卻得花時間換來換去的...這樣划算嗎?

小弟老話重談:品質實在、價格實惠比較重要!別再被天花亂墜的超頻神話給誤導啦...

順道提供常見的外頻(MHz)/時脈(CL-RAS-RCD-RP)搭配供您參考!外頻越大越快,時脈呢...則是越低越快!依此原則去調整!假若玩了超頻覺得電腦開始不穩話,恢復系統狀態時您也可以參照下列設定值去調整~

  • DDR

    266MHz/2-2-2-6;2.5-3-3-7

    333MHz/2.5-3-3-6;2.5-3-3-7

    400MHz/2.5-3-3-8;2.5-4-4-8;3-3-3-8;3-4-4-8

  • DDR2

    400MHz/3-3-3-8

    533MHz/4-4-4-12

    667MHz/5-4-4-15;5-5-5-15

    800MHz/5-5-5-15;5-5-5-18;6-6-6-18

  • DDR3

    800MHz/6-6-6-15

    1066MHz/7-7-7-20

    1333MHz/8-8-8-24;9-9-9-24

    1600MHz/9-9-9-28

四參數(CL-RAS-RCD-RP)詳細介紹:

  • CL(Column Address Strobe Latency)

    這項參數是影響記憶體時脈速度的最大因素!列位址延遲控制CPU輸出直到記憶體解碼的過程週期,CL參數小代表CPU被允許在更短的時間內朝D-RAM丟入更多筆資料!然我們會建議這項使用預設值~以免CPU一次塞太多東西到D-RAM裡,導致記憶體烙賽!若有這項超頻的需求...還請先撥空和記憶體的經銷商聊聊!

  • tRAS(Time of Row Address Strobe)

    這項參數代表列位址充電時間,列位址參數代表資料初始化的時間週期,D-RAM接收訊號且被解碼後,得以將資料送回CPU作判讀~若RAS參數降低,等於初始化時間被允許減少,進而初始化時間會被迫縮短!您若合理範圍內調整RAS參數,也可讓電腦速度增加一些。

  • tRCD(Time of RAS to CAS Delay)

    行列延遲會佔掉很多時間,只要有行列交換,這項參數就有其必要性...RCD限制了記憶體在行解碼或者列狀態初始化後的資料可以在多少時間內直接送回列或者行,當然...降低RCD週期也會使電腦會更快~但行或者列反應太快時也會導致不穩定!因此這項同CAS,也建議使用預設值...即使調整也不要超過20%的幅度。

  • tRP(RAS Precharge)

    RP參數代表每一筆資料寫入RAS(資料位元組充電)的限制時間,這項參數您可以逐步縮短,20%以內可以嘗試看看~例如預設值是10...您可以調整到8試試看!

外頻(FSB)設定分為CPU Host超頻以及倍頻超頻兩種,若純粹不加壓超頻,建議由FSB比率去超頻,不建議增加CPU Host!

外頻=FSB比率 * CPU Host,可依照BIOS內建的比率去修正,例如CPU Host供應266MHz的頻率,那調整FSB比值至2.0時,外頻就是533MHz了!或者Host供應200MHz頻率,那將比值設為1.66時,外頻就是DDR 333MHz...

提醒各位,您若是更改記憶體的參數值並且套用了!那麼電腦內所有的記憶體都將會參照您設定的參數去運作!特以提醒:除非您清楚電腦中每一條記憶體的情況,知道調整的範圍...若不是全然清楚,也不是同一廠牌或者規格的記憶體,建議就不要更動~別因為想讓體質好的跑的快,而逼壞體質較差的那一條喔!這樣子不划算...

另外得提醒大家...您若是將CL時脈縮短,就最好別再調整D-RAM FSB...若是調整FSB,那麼CL參數就不要隨意更動!系統是否穩定憑藉經驗,當您跟夠專業的經銷商購買記憶體時,多半可針對您購買的記憶體提供更詳盡的資訊,若商家不夠專業,無法提供解答時,我們仍會建議您使用"Auto"模式,讓主機板參照記憶體內建的SPD參數。

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上一則: 記憶體的工作原理

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