依據之前分析 DRAM 廠基本資料與營運成本，在這預測各 DRAM 廠第四季營業狀況，表列如下；

單位；營業額、損益；億 美金

銷售量；億顆

成本；元 美金

成本指各 DRAM 廠第三季 1 G bit DDR2 生產成本

預估基礎；

一、以 1 G bit DDR2 第四季均價為 2.6 美金。

二、各 DRAM 廠皆以產能全開生產。

三、各 DRAM 廠 1 G bit DDR2 生產成本皆以第三季 1 G bit DDR2 生產成本為基礎。

基本上 2009 年第四季 1 G bit DDR2 市場均價應高過美金 2.6 元，這價位已經高過生產成本最高的力晶美金 2.33 元，導致各 DRAM 廠理論上都應獲利，且會產能全開生產。

簡述各 DRAM 廠預估假設基礎；

Samsung 預估數字是以 12 吋廠 50n 製程 Wafer 月產能 35 萬片，每片 Wafer 產出 Good die 1,320 顆。

Elpida 是列入瑞晶 12 吋廠 65n Shrink version 製程月產能 8 萬片 (自家 12 吋廠 Wafer 月產能 11.5 萬片)， Total 12 吋 Wafer 月產能 19.5 萬片，每片 Wafer 產出 Good die 932 顆。不列入茂德 3.5 萬片 12 吋廠 Wafer 月產能。

Micron 是依合約華亞提供 12 吋廠 68n 製程月產能 4 萬片(自家 12 吋廠 50n 製程 Wafer月產能 7.5 萬片)，Total Wafer 月產能 11.5 萬片為基礎。

南亞以自家產能 12 吋廠 68n 製程 Wafer 月產能 3.5 萬片加上華亞提供 12 吋廠 68n 製程 Wafer 月產能 4 萬片為基礎。

力晶以 12 吋廠 65n 製程 13 萬片產能全開估計。

Hynix 自家 12 吋廠 54n 製程 Wafer 月產能 24 萬片，每片 Wafer 產出 Good die 1,174 顆，則季產能 Good die 8.45 億顆。而第三季該公司產出 1 G bit DDR2 當量為 9.73 億顆，即高出該公司季產能 Good die 8.45 億顆，這有兩種可能；

一、部份產能已轉入 40n 製程生產。

二、該公司生產良率提升 15.2%。

DRAM 廠良率要提升 15.2% 是非常不合理。所以只有一種可能；即部份產能已轉入 40n 製程生產。

 以獲利而言，台灣 DRAM 廠是人家大口吃肉，我們喝喝湯！