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外資賣超336億 這檔竟逆勢獲買超1.2萬張
台股28日以21,602.89點收盤,下跌348.87點,三大法人中僅投信買超,外資則是賣超336.68億元,統計外資買賣超個股發現,買超華邦電(2344)12,436張居外資買超個股第一名,但賣超的前兩名則都是高息ETF,鴻海(2317)也遭外資賣超23,361張。台股大跌,早盤開低後一度下跌至2,1525.05點,為今年來新低,終場收在21,602.89點,下跌348.87點,跌幅1.59%,三大法人賣超468.28億元,包括外資賣超336.68億元,投信買超28.56億元,自營商賣超(合計)160.16億元,其中自營商(自行買賣)賣超27億元,自營商(避險)賣超133.16億元。台股重挫,跌破3月11日低點,創下今年新低,台積電(2330)收今年新低952元,跌幅0.63%,鴻海摜破160元,收在154元,跌幅約4%,創下去年5月來新低;科技、傳產股幾乎無一倖免,各類股一片綠油油,上漲家數僅百餘家,但軍工股成為漲勢最強族群。統計外資賣超前十名個股依序是群益台灣精選高息(00919)、國泰永續高股息(00878)、鴻海、凱基金(2883)、元大金(2885)、永豐金(2890)、友達(2409)、元大台灣價值高息(00940)、國泰金(2882)、長榮航(2618)等;外資賣超前十名中,高股息ETF占3檔,金融股達4檔,傳產股也有1檔。統計外資買超前十大個股依序是華邦電、元大台灣50反1(00632R)、復華台灣科技優息(00929)、中信金(2891)、神達(3706)、富邦越南(00885)、兆豐金(2886)、復華富時不動產(00712)、廣宇(2328)、鴻準(2354)等。緊追美國?知名企業家喊「中美AI技術差距縮小」 半導體制裁成雙刃劍
前谷歌大中華區總裁、知名風投企業家兼零一萬物(01.AI)創辦人李開復表示,由於大陸初創企業深度求索(DeepSeek)等公司,找到更有效益利用晶片及應用算法,大陸在人工智慧(AI)發展,與美國的差距縮小僅3個月。新加坡聯合早報報導,李開復指出,美國對大陸科技行業,施加多輪出口技術限制,先前市場曾認為限制了大陸AI發展。但DeepSeek利用較成熟製程晶片,及以較西方同業為低的成本來開發,震撼全球AI行業。李開復認為,以前曾以為大陸在AI所有方面,跟美國都有6至9個月差距。但目前在一些核心技術上差距已收窄至僅3個月,在一些特定領域甚至已領先美國。李開復指出,美國對大陸的半導體制裁是「雙刃劍」,造成短期挑戰,但也迫使大陸企業在創新以突破限制,並提及大陸企業開發自家演算法。此外,李開復還預測,隨著大陸AI領域的巨變,未來市場或將迎來DeepSeek、阿里巴巴和字節跳動三家主要公司的寡頭競爭。他指出,AI行業的發展模式正在經歷前所未有的變革,甚至讓OpenAI的創始團隊都夜不能寐。李開復還提到,DeepSeek的成功證明5件事情:大陸不落後美國;大陸做的工程比美國做得更好、速度比美國更快;所有科研,大陸也是世界一流的,哪怕稍落後美國;最終開源一定是勝出的,閉源是很難走通;以及帶給大陸的ChatGPT時刻,當時登場時,席捲美國甚至全球,做出獨一無二,立刻教育市場的基礎產品。台達電搶進輝達下世代AI鏈 開發Rubin平台專用電源
台達電(2308)看好輝達下世代Rubin平台AI晶片用電量暴增,電路也將重新設計帶來的新商機,以獨門技術完成Rubin平台專用電源開發,打造出整合碳化矽及周邊半導體元件、散熱材質等成單一模組的「黑盒子」,腳步為同業最快,有望成為全球首批打入輝達新世代AI伺服器電源供應鏈的領頭羊。輝達於今年GTC大會揭示AI晶片發展藍圖,包括今年下半年推出GB300等BlackwellUltra平台新晶片、明年的Rubin平台,以及2028年的Feynman平台。由於GB300為目前GB200的升級版,差異性不大,Feynman平台問世時程還太久,法人當下焦點多著重在明年的Rubin平台。台達電源及零組件執行副總裁史文景分析,隨著AI伺服器所需功率大幅飆升,同樣體積的電源需要具備更高的電源密度,因此要有全新電路設計。史文景透露,台達電領先業界以獨家技術,將碳化矽及半導體周邊元件、散熱材質封裝成為單一模組,開發出符合輝達下世代AI晶片所需電源,創造差異化優勢,預計明年下半年量產。台達電源及系統事業群總經理陳盈源分析,新世代AI晶片電源設計大不同,現在晶片輸出是50V(伏特),未來變成高壓直流、高達800V,相差16倍,就像「火車變高鐵」;此外,整體配電線路也將大改版。陳盈源指出,現在輝達晶片電流是靠三相交流電(AC)配電輸入,但在同個配電的電路中,取其中每個單相,送電到一個AC/DC的電源;未來新世代AI晶片每個電源功率從5.5KW提高至30KW,呈跳躍式成長,電壓從50V拉高至800V,電源供應器(PSU)也將變成三相input,單相input和三相input的電路設計完全不一樣。史文景說,因應輝達下世代晶片對電源與電路設計改變,原來的半導體技術採分散式元件,功率元件為MOSFET,變成三相輸入後就要變成碳化矽,因為電壓不一樣,零件改變,且因為同樣的空間,效率及功率密度提高,零件工作的控制方式及原理也要調整。PSU設計考量拓撲結構,材料及封裝技術三合一,整合碳化矽及周邊半導體元件、散熱材質等成單一模組,變成「黑盒子」,透過提高電源功率及效率,透過內部不同技術垂直整合,以獨到封裝技術,在電源效率及功率創造差異化優勢。📌數位新聞這裡看!訂閱《科技玩家》YouTube頻道!💡追新聞》》在GoogleNews按下追蹤,科技玩家好文不漏接!📢LINE開放多裝置登入!看「追加裝置」教學、規則安卓蘋果可混搭📢LINE免費貼圖4款!精品款推動物「動動貼圖」超Q、小惡鱷諧音哏滿滿📢蘋果AISiri延到2026…1舉動陷公關危機!他建議學賈伯斯解決範本📢Skype五月說掰掰!轉移MicrosoftTeams教學「上班專用」可聊天建社群📢3月便宜資費懶人包/5G上網吃到飽388!4G不限速500有找📢旗艦AI洗地機開箱!輕鬆拖地、高溫洗布烘乾還能遛狗甩尾