高密度二氧化矽薄膜(High Density Silicon Dioxide Films) - David' s World - udn部落格
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作家:freemind
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    高密度二氧化矽薄膜(High Density Silicon Dioxide Films)
    2009/04/15 08:37:59
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    Seramic SI

    高密度二氧化矽薄膜(High Density Silicon Dioxide Films) 

    特點:用浸塗或自旋塗佈提供耐熱絕緣層

    電子 半導體設計和電容的絕緣層

    光學 玻璃和石英表面的防擴散

    說明:

    Seramic  SI is a -chloroethylsilsesquioxane solution in methoxypropanol.

    薄膜特性:

    透明
    介電常數: 3.2-3.6
    折射率:

    硬化前-- 1.51,

    硬化後-- 1.40~1.41


    溶液性質

    固含量 14-16%

    密度 0.96 g/cc

    黏度 3-5 cSt.

     閃點 35°C 

    儲存: 5°C下密封,6個月. 打開前先加溫到 15°C

    注意:

    在通風無火源下使用, 避免皮膚和眼睛直接接觸 

    使用方法:

    熱固化型-

    用浸塗或自旋塗佈, 溶劑揮發後, 300°C 下加熱 30-60分鐘

    自旋塗佈, 塗膜的厚度大約 1500-2000 Å

    如果需要更薄, 可以用methoxypropanol diglyme 稀釋. 加熱過程有少量的乙稀和鹽酸氣體釋出

    UV固化型- -

    deep UV (<210nm) 固化. 深紫外線照射區耐溶劑侵蝕, 未曝光區域可用溶劑洗去,

     

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    迴響(1) :
    1樓. 小吳
    2009/06/24 13:59
    請問一下

    您好,我的實驗需要用到此絕緣層

    請問要去哪裡買這個材料呢?

    Please visit http://www.davidlu.net

    or mail vincent@davidlu.net

    freemind2009/07/04 11:41回覆

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