（中央社首爾18日綜合外電報導）韓國「首爾經濟日報」今天報導，三星電子將採用臺積電的3奈米製程，為輝達（Nvidia）下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）晶片製造基礎晶粒（base die）。
韓媒：三星應輝達要求　下一代HBM基礎晶粒採臺積電3奈米

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