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2016/03/16 16:29

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工商時報【記者涂志豪╱台

北報導】

嵌入式非揮發性記憶體矽智財（eNVM IP）供應商力旺電子（3529）昨（14）日宣布，其OTP NeoFuse技術緊跟新製程的開發步調，繼完成支援16奈米加強版鰭式場效電晶體製程（16FF+）後，再度支援16奈米精簡型FinFET製程（16FFC）並完成驗證，為16奈米製程平台矽智財開發畫下重要里程碑。

力旺電子NeoFuse技術已於16FFC平台完成功能驗證，並將於今年第3季完成可靠性驗證，可提供客戶相當於16FF+製程平台上的技術規格。隨著16奈米製程快速演進，力旺亦將與合作夥伴緊密合作，攜手開發最新製程平台的矽智財，以提

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供給客戶在16奈米製程上，最多元完整的解決方案。

力旺表示，NeoFuse技術擁有優異的元件架構及超低電壓操作記憶體元件的特性，在製程演進時，能快速地於新製程完成產品驗證與佈局。隨著16奈米製程由16FF+轉進至16FFC製程平台，力旺NeoFuse矽智財規格同步進化，在提供客戶更佳的技術規格的同時

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，亦協助客戶得以靈活地於新製程平台進行產品規畫。

台積電16FFC製程平台是為可兼顧最佳效能與功耗表現的先進製程平台，特別適合強調省電與成本效益的穿戴式裝置與物聯網之應用。16FFC製程平台將於2016年中之後進入試產階段，力旺領先業界在16FFC製程平台開發的

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NeoFuse矽智財，預期將獲消費性電子、行動裝置等客戶廣泛採用，以強化產品效能與成本競爭力。

力旺電子於16FFC成功佈建的NeoFuse技術，將能協助客戶快速將產品由16FF+技術轉進至進階的16FFC製程平台。繼領先業界於16FF+製程平台導入OTP技術後，力旺再次展現超越競爭對手的技術開發實力，成為16奈米製程應用晶片

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