台積電發表下一世代的先進製程技術「A14」，製程來到1.4奈米。（資料照，柯承惠攝）
台積電在23日重量發表下一世代的先進製程技術「A14」，其製程來到1.4奈米，不過也透露A14將不會使用目前最先進的「高數值孔徑極紫外光」（High-NA EUV）曝光機。而外媒《wccftech》對此報導指出，台積電基於成本取捨放棄採用高NA技術，但英特爾將於明年推出的18A製程反而採用，意味著台積電將在採用最新技術方面落後英特爾至少4年，可能會讓對手取得技術競爭優勢。
台積電業務開發資深副總裁張曉強日前透露，A14計畫於2028年開始生產，但不會使用高NA曝光技術，從2奈米到A14，他們無需使用高NA，也仍能在製程複雜度方面維持相近水準。
該報導指出，台積電認為高NA對於A14製程並非如此重要，主因是使用高NA曝光機，恐導致成本暴增至傳統方法的2.5倍，進而使A14難以在消費性產品中獲得採用。不過報導也強調，這並不表示台積電未來不會使用高NA曝光機，他們計畫在後續的A14P節點上採用這項技術。
報導表示，台積電不採用高NA技術的另一個原因，是A14的單層晶片設計需要多個光罩，使用最新型曝光機反而只會推高成本，卻沒有帶來太多實質效益；相反地，透過專注於0.33-NA EUV技術，台積電可以維持相同的設計複雜度，同時無需依賴高NA的極致精準度，降低生產成本。
報導也提到，有趣的是，台積電放棄高NA技術，讓其在最新技術方面落後於英特爾。據傳英特爾的18A製程將使用高NA，預計最快將於明年推出，而台積電A14P的目標推出時程則放在2029年，這意味著台積電在技術方面將落後競爭對手至少4年，這項決策可能會讓英特爾等其他業者，取得技術競爭優勢。
