用HVPE長AlN 和 AlGaN
2011/06/19 15:36
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用HVPE長AlN 和 AlGaN 是Kyma最近的突破。
測量結果，HVPE成長的氮化鋁材料 在200納米至400納米的光譜區具有更高透明度，這個發現為UV LED殺菌照射應用 上打開了一扇大窗。
同時, AlN/AlGaN 的耐高溫特性在場效應(FETs)應用上將是 高功率電晶體的主流.
測量結果，HVPE成長的氮化鋁材料 在200納米至400納米的光譜區具有更高透明度，這個發現為UV LED殺菌照射應用 上打開了一扇大窗。
同時, AlN/AlGaN 的耐高溫特性在場效應(FETs)應用上將是 高功率電晶體的主流.
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