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高密度二氧化矽薄膜(High Density Silicon Dioxide Films)
2009/04/15 08:37
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Seramic SI

高密度二氧化矽薄膜(High Density Silicon Dioxide Films) 

特點:用浸塗或自旋塗佈提供耐熱絕緣層

電子 半導體設計和電容的絕緣層

光學 玻璃和石英表面的防擴散

說明:

Seramic  SI is a -chloroethylsilsesquioxane solution in methoxypropanol.

薄膜特性:

透明
介電常數: 3.2-3.6
折射率:

硬化前-- 1.51,

硬化後-- 1.40~1.41


溶液性質

固含量 14-16%

密度 0.96 g/cc

黏度 3-5 cSt.

 閃點 35°C 

儲存: 5°C下密封,6個月. 打開前先加溫到 15°C

注意:

在通風無火源下使用, 避免皮膚和眼睛直接接觸 

使用方法:

熱固化型-

用浸塗或自旋塗佈, 溶劑揮發後, 300°C 下加熱 30-60分鐘

自旋塗佈, 塗膜的厚度大約 1500-2000 Å

如果需要更薄, 可以用methoxypropanol diglyme 稀釋. 加熱過程有少量的乙稀和鹽酸氣體釋出

UV固化型- -

deep UV (<210nm) 固化. 深紫外線照射區耐溶劑侵蝕, 未曝光區域可用溶劑洗去,

 

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1樓. 小吳
2009/06/24 13:59
請問一下

您好,我的實驗需要用到此絕緣層

請問要去哪裡買這個材料呢?

Please visit http://www.davidlu.net

or mail vincent@davidlu.net

freemind2009/07/04 11:41回覆

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