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用HVPE長AlN 和 AlGaN
2011/06/19 15:36
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用HVPE長AlN 和 AlGaN 是Kyma最近的突破

 測量結果HVPE成長的氮化鋁材料 200納米至400納米光譜區
具有更高透明度,這個發現為UV LED殺菌照射應用 上打開了一扇大窗。

同時, AlN/AlGaN 的耐高溫特性在場效應(FETs)應用上將是 高功率
電晶體的主流.

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